艾默（e）旋涂Ti3C2Tx膜的UV-Vis透射率曲线。

NonlinearMagnetotransportShapedbyFermiSurfaceTopologyandConvexity(Nat.Commun.,2019,DOI:10.1038/s41467-019-09208-8)本文由材料人学术组tt供稿，生G市场材料牛整理编辑。在这种情况下，系列小功最近在极性半导体和具有自旋动量锁定带的拓扑绝缘体中发现了与所施加的电场和磁场线性成比例的非线性磁阻（NLMR），系列小功并且引起了凝聚态物理方向的研究兴趣。

这与迄今为止以WTe2为特征的传统（线性）MR形成了鲜明对比，致力WTe2在磁场中是电流无关或二次的关系。因此，掘金我们在此建立了费米表面拓扑，凸性和非线性磁输运响应之间的密切关系。艾默该成果以题为NonlinearMagnetotransportShapedbyFermiSurfaceTopologyandConvexity发表在Nat.Commun.上

WTe2表现出对温度非常敏感的性质，生G市场这是低温下近乎完美的载流子补偿和~160K的空穴抑制Lifshitz跃迁的综合结果。为了进一步探索WTe2中自旋极化带的分支，系列小功以及它们与结构丰富的费米表面的相互作用，作者详细研究了自旋相关的非线性磁转运。

【图文导读】Figure1.WTe2中的晶体和能带结构以及非线性磁转运(a).晶体结构(b).计算得到的能带结构(c).费米表面示意图(d).电阻率的温度依赖(e).霍尔杆装置的光学图像(f).MR的测量示意图Figure2.WTe2中具有温度驱动反转的非线性磁阻(a).角度依赖的二次谐波电阻(b,c).电流和磁场依赖的正弦振幅(d).正弦振幅随温度的变化(e).三种温度下霍尔电阻的场依赖性(f).ne和nh的温度依赖Figure3.非线性磁阻的晶体各向异性(a).圆形霍尔杆装置的光学图像(b).通道电阻率的温度依赖性(c,d).非线性磁阻的温度依赖性Figure4.非线性充电电流和费米面的理论计算【小结】在这个工作中，致力作者报道了半金属WTe2中室温下的非线性磁阻现象，致力其中有一个有趣的温度驱动反转。

这些结果还表明，掘金费米能级的微调对于控制半金属中的非线性磁输运是至关重要的。国内国外都有，艾默最后也不知谁脑子一热。

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